| 型号：SI5935CDC-T1-GE3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SMD，扁平引线 | 描述：MOSFET P-CH 20V 1206-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1206-8 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 4A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 11nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 455pF @ 10V |
| 功率_最大 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
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| 深圳市芯美力科技有限公司 | 马生19928739654 |
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